本实验采用催化辅助化学气相沉积技术制备了ZnO纳米线阵列体系,研究了工艺条件对ZnO纳米线阵列的生长的影响,并讨论了ZnO纳米线阵列的生长机理。探讨了ZnO纳米线阵列的紫外敏感特性及光谱响应。运用X射线衍射谱(XRD)、电子扫描显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、光响应测试系统等测试手段对样品的结构和光电性能进行了表征。结果表明:ZnO源控制在1350℃能够达到最理想的分解速度;通过控制催化剂的大小和分布状况实现了ZnO纳米线的直径和生长区域的控制;调节不同的生长温度得到不同尺度、形貌的纳米线,最终综合考虑催化剂,传输气体的流量,蒸发源的温度,背景真空等因素实现了对ZnO纳米线的可控生长。实验证明ZnO纳米线的生长是基于VLS生长机理,但和传统的VLS生长机理有所不同。在使用Au作为催化剂时,遵循VLS生长机理的顶部生长模式。使用Ag作为催化剂时,一般催化剂出现在纳米线的底部,我们认为是因为Ag和Si形成了Ag-Si合金的缘故。据此我们提出了在使用两种不同催化剂时ZnO纳米线生长的模型。ZnO纳米线光电特性研究表明:a-b取向的ZnO纳米线阵列具有很强的紫外光敏感特性,而且光响应速度很快(小于50ms)。最后本文探讨了氧气氛对ZnO纳米线阵列的光响应速度的影响,结果表明:光电流随着氧压的下降而增大,电流恢复变慢。