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核壳纳米线是由两种材料复合而成的一种核壳异质结构，这种独特的结构结合了核壳两种材料的特性，具有独特的性能。GaN和InN都属于Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，将GaN和InN复合成核壳纳米线异质结构，通过改变核壳比例对材料的电子结构和光学性能进行调控，可以满足光电器件设计的灵活性，拓宽纳米材料在光电领域的应用。本文从实验制备和理论计算两方面研究了GaN/InN核壳纳米线。 首先，利用化学气相沉积法(CVD)两步制备得到GaN/InN核壳纳米线异质结构。实验从选择不同In前驱体及生长工艺条件研究GaN/InN核壳纳米线异质结构的制备，通过分析这种异质结构的生长机理得出：第一步GaN核的生长遵循气-液-固(VLS)机制；第二步InN壳的生长遵循气固(VS)机制。GaN纳米线的光致发光(PL)谱表明：在362nm(3.42eV)有一紫外发射峰，这主要归因于带边发射；GaN/InN核壳纳米线异质结构的光致发光(PL)谱表明：在404nm(3.06eV)有一紫光发射峰，相对于GaN纳米线，其发光峰红移，从紫外光进入可见光频段，这归因于带隙的减小。 然后，基于第一性原理研究了GaN/InN核壳纳米线异质结构。理论计算结果表明：GaN/InN核壳纳米线异质结构的带隙与核壳比例和纳米线直径有关。在纳米线直径不变的情况下，带隙随GaN比例的增大而增大；当纳米线核壳比例一定时，带隙随纳米线直径的增大而减小。GaN/InN核壳纳米线异质结构的介电函数虚部主峰位置随核壳比例的减小向低能方向移动，吸收光谱范围整体从紫外光进入可见光频段。 以上研究表明实验测试与理论计算结果相吻合。因此，GaN/InN核壳纳米线异质结构实现了对带隙及光学性能的调控，得到从紫外到可见的光电应用范围。