大功率金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor,MOSFET）是电力电子系统中最常用的开关器件之一,作为核心器件,其故障可能导致系统运行的中断,甚至造成严重的安全事故和经济损失。近年来,以碳化硅（Silicon Carbide,Si C）为代表的第三代宽禁带半导体的出现,使得器件性能出现了大大的提高,但同时在可靠性问题上又带来了新的挑战。健康监测技术能准确反映变流器运行过程中功率器件的健康状态,是有效解决其可靠性问题的重要途径。本文以Si C MOSFET功率模块键合线失效为研究内容,提出了一种基于三维透射磁场数据的非介入式Si C MOSFET键合线健康监测研究方法。理论上分析了键合线断裂等健康问题出现后,其周围透射磁场发生的变化,并且建立了磁场检测的实验平台,在实验中捕捉到Si C MOSFET模块运行中,键合线发生故障以后其周围透射磁场发生的变化,验证了该方法的可行性。本文首先介绍了Si C MOSFET模块的物理特性与失效模式,并分析了键合线故障对Si C MOSFET模块内部导流机制的影响,总结了键合线损伤机理及其演化规律,介绍了键合电阻影响键合电流的重构最终导致键合线完全脱落的正反馈过程,阐述了失效过程中键合电流重新分布导致键合线周围透射磁场变化的基本原理,并且在接下来的理论和仿真分析中,详细的阐明了键合线老化过程中周围透射磁场的变化过程。为验证方法的可行性,搭建了能够检测功率模块周围透射磁场的监测实验平台进行实验论证,完成了键合线失效正反馈过程中包括键合线开裂到键合线断裂到键合线完全脱落的基本全部老化过程中磁场数据的实验提取,并以此数据建立了键合线上方透射磁场的三维曲面变化。实验结果显示,基于模块透射磁场数据模型建立的键合线上方磁场三维曲面并根据三维曲面的变化来判断Si C MOSFET功率模块键合线的健康状态,从而实现非介入式健康监测的方法具有较高的可行性。此研究在磁场的角度上提出了一种非介入式的新的功率模块的健康状态监测研究方法,解决了传统研究方法中隔离性、实时性上的一些问题,这为未来功率器件可靠性研究开辟了新的研究视角。