深紫外（DUV）光电存储器在军事探测、环境监测、医疗分析等军事、民用、商用领域应用广泛,场效应晶体管型光电器件不但具有良好的光响应度,同时还具有信号放大功能,在DUV光电存储器领域有很强的应用潜力。目前对DUV光信号的检测大多基于超宽带隙的无机半导体,但是无机半导体的材料选择范围少、本征刚性、制备过程复杂等缺点限制了其实际应用。有机半导体由于具有材料选择范围大、可溶液处理、成本低等优势受到广泛关注,然而绝大多数有机半导体具有较窄的带隙,使得其对DUV光的吸收效率非常低。本论文成功利用窄带隙有机半导体作为有机场效应晶体管（OFET）的有源层实现了对DUV光信号的探测和存储,同时顺应大数据时代下信息飞速增长的趋势,实现了在单个器件中对信息的多级存储功能。在扩大内存容量的同时考虑到高速增长的信息量与信息处理之间的关系,制备了具有大容量存储与快速处理功能相结合的OFET型深紫外光子刺激的人工突触器件。本论文主要内容总结如下:（1）利用有机半导体二酮基吡咯并吡咯-二噻吩并[3,2-b]噻吩制备了基于OFET的新型非易失性日盲DUV光电存储器,实现了16级光电存储状态,并且具有可擦写能力。在-40 V的栅极电压和254 nm DUV光照(1.252 m W cm-2)条件下对器件编程10 s,记忆窗口达到23.8 V。存储器保留时间超过10~4 s,编程/读取/擦除/读取周期超过100次。改变曝光光强和曝光时间可以实现对DUV光照射剂量的确定。存储器同时显示出对254 nm DUV光的高选择性。此外,成功制备了可用于图像存储的DUV存储器阵列。这项工作提供了一种将有机半导体应用于日盲DUV光电存储器的新方法。（2）制备了基于聚（3-己基噻吩）的OFET型DUV光信号刺激的人工突触器件。在光脉冲强度为0.884 m W cm-2,光脉冲时间为4 s的一次脉冲下,兴奋性突触后电流（EPSC）高达21.00 n A。在两次连续光脉冲刺激下,成对脉冲促进也被成功模拟,实现了优异的短期突触可塑性。增加光脉冲光强、时间或次数,EPSC都有一定程度的增加,电流的弛豫时间也都延长,仿生物突触行为发生了从短期记忆到长期记忆的转变,成功模仿了人脑的学习过程。基于OFET的人工突触器件成功实现了DUV领域信号的大容量存储和快速处理。