本文主要针对磷化铟(InP)基的近红外相关光电探测器件进行了研究,设计并完成了器件的加工、测试,尤其深入分析了石墨烯/磷化铟(Gr/InP)肖特基接触特性和PIN、PNP结构的InP/InGaAs、InAlAs/InGaAs光电探测器的电学特性。首先,本文研究了 Gr与n型InP、p型InP的肖特基接触特性,利用热发射模型从I-V曲线中提取了器件的势垒高度Φb0和理想因子n发现Gr与p-InP的肖特基接触的势垒高度更高(0.88 eV),理想因子更小(3.06)。为进一步了解接触特性,对接触的C-V进行了测试分析,发现两种接触的C-V特性不一致。Gr/p-InP的电容随反偏电压的增大而增大,而Gr/n-InP的电容随正向电压的变大有·个峰值,其主要原因是接触界面陷阱能级的影响。然后,通过优化结构和参数,本文得到了响应度很高(0.9A/W),暗电流较小(4.04×10-6 A/cm2)的PIN结构的InGaAs/InAlAs红外光电探测器。并对该结构的C-V特性进行了研究,发现电容随电压的增大,先增大后减小,出现一个峰值,且峰值的大小随频率的变大而减小。最后,根据异质结光电晶体管对电流的放大作用,我们制备并分析了一种两端的PNP结构的红外光电探测器。该器件在较低的工作电压下有很大的电流响应(694A/W),实现了光电流的放大,且响应度随外加偏压的增大而增大。