本文主要是窄脉冲大电流激光驱动的研究。论文论述了激光器的历史和类别，其中特别详细的介绍了半导体激光器和半导体激光器电源的发展过程。并针对本课题的特殊要求，详细的介绍了研究和设计及调试的全过程。 自1962年世界上第一台半导体激光器发明问世以来，半导体激光器发生了巨大的变化。激光器极大地推动了其他科学技术的发展，被认为是二十世纪人类最伟大的发明之一，但是目前国内在国外这方面的科研投入相对发达国家有着一定的差距。在激光驱动控制部分(也可称为激光驱动电源)主要是用一些晶体管的开关特性来作为其激光器驱动电路的核心，而其输出脉宽一般都在50ns—100ns左右。本课题要求的是输出在30±10纳秒并可调，所以经典方案并不适用于本课题。笔者经过一段时间的思考和查阅相关的资料，决定利用VMOS管作为开关管输出来驱动激光器。激光器对温度很敏感，往往温度的变化能直接影响激光器的工作状况。为了使激光器能正常工作，笔者设计了温度控制电路，以使其能长时间正常运行。 最终成功设计了激光激励器，工作重复频率：每秒一次、十次、二十次；脉冲宽度：30ns±10ns并可调；电流大于3安培。