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本文探索了用PLD法在硅衬底上生长LiNbO3（LN）薄膜。氧气氛对生长LN薄膜是必不可少的条件。氧气压强、衬底温度、衬底和靶之间的距离以及激光的重复频率对生长LN薄膜有很大的影响，较低的氧气压强、较低的激光重复频率和较高的衬底温度会导致缺锂相LiNb3O8的产生，而衬底和靶之间的距离影响薄膜的取向。通过对LN薄膜生长条件的探索，找到了生长c轴择优取向LN薄膜的优化条件：氧气氛压强30Pa，衬底温度600℃，衬底和靶的距离4cm，激光重复频率3Hz或5Hz。我们还尝试在相同条件下在玻璃衬底上生长LN薄膜，但没有成功，这说明LN薄膜的生长条件与所选用的衬底类型有关。有别于以前的研究，在生长c轴择优取向LN薄膜的过程中，没有采用富锂的多晶靶，也没有采用缓冲层和诱导电场。XRD、TEM和AFM的测试分析表明：在优化条件下生长的LN薄膜是一种柱状的多晶结构，具有良好的择优取向性和结晶度，在晶粒内部观察到类似单晶的结构。利用棱镜耦合器，激光可以耦合到LN薄膜，形成TM和TE模式的光波导，测得它的折射率no为2.285，薄膜厚度为0.199μm。 采用缓冲层是改善薄膜生长质量的常用途径，本文还探讨了ZnO缓冲层对LN薄膜生长质量的影响。研究表明，采用缓冲层后，LN薄膜的晶体质量得到了很大的提高。