20世纪以来,半导体量子点显示器相比有机发光二极管（OLED）具有更独特的优势而倍受青睐,包括窄的半峰宽,尺寸可调的发射波长,非常高的荧光量子产率（PLQY）,不错的光稳定性和热稳定性,等等。因此,具有简化的器件结构,短响应时间,低功耗,高对比度和宽视角的量子点发光二极管（QLED）已被认为是下一代显示器。传统合成CsPbBr₃量子点的方法大多是使用油胺与油酸作为配体,然而这些配体的导电性不好,势必会影响QLED的效率,所以寻找一种新的配体代替这些不导电的配体至关重要。而钙钛矿体材料成膜性较差,通常它的薄膜有较大的孔洞与缺陷态,不利于电子与空穴的复合,所以只有解决体材料薄膜形貌问题才能提高钙钛矿发光二极管（Pe LED）的性能。本课题首先制备CsPbBr₃钙钛矿量子点溶液,使用高温合成与室温合成两种方法对其性能进行对比,经过比较我们决定使用光学性能更佳的室温合成法合成的量子点。然后我们用三种不同的空穴传输层PVK（聚乙烯咔唑）、poly-TPD（4-丁基-N,N-二苯基苯胺均聚物）、PTAA（聚[双（4-苯基）（2,4,6-三甲基苯基）胺]）制备这三种结构QLED器件,观察在不同空穴传输层下那种器件结构能得到更佳的性能。实验发现poly-TPD、PTAA的器件启亮电压最低只有3.5V,poly-TPD器件有最大亮度达到1118.7cd/m²,PTAA的器件有最大外量子效率（EQE）达到0.99%。对于钙钛矿体材料为了克服器件电流输入不平衡与薄膜形貌差的问题,我们对空穴注入层PEDOT:PSS（聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐）进行修饰。通过将PEDOT:PSS溶液和氨基银纳米粒子溶液以4:1的体积比混合,获得经过氨基银纳米粒子溶液处理的PEDOT:PSS空穴注入层,以此制备的器件启亮电压由原来的5.5V降低到3.5V,最大亮度提升到3445.5cd/m²,这比基础的器件增长了50%以上,效果显著。为了使钙钛矿体材料薄膜更加均匀致密在此使用了一种新型的小分子1,3-双9H-咔唑-9-基苯（m CP）作为添加剂来改善CsPbBr₃发光层的薄膜形貌。作为重要的磷光主体材料,m CP在减少薄膜缺陷方面起着关键的钝化作用,可以有效地减少非辐射复合。更惊人的是,CsPbBr₃和m CP之间可能发生独特的路易斯酸碱反应,固相化学反应能够增强钙钛矿晶粒的连接和成膜能力,并显著减少了钙钛矿薄膜内的针孔与沟壑。这样,我们用CsPbBr₃:m CP钙钛矿薄膜作为发光层,成功制备了高效的Pe LED。受益于m CP的引入,获得了均匀且无针孔的CsPbBr₃发光层,其粗糙度（RMS）从8.28nm降低至1.62nm。经过优化的CsPbBr₃:m CP器件的最大亮度值为21008cd/m²,相应的最大EQE=1.21%。最后我们用蒸镀法偶然制备了结构简单的白光LED器件,器件的最大亮度为485.1cd/m²,最大EQE=0.1%。