本论文对SIM卡中的FLASH存储器的快速物理实现方式进行了分析研究。FLASH存储器既有ROM的掉电后数据不挥发的特点,又有很高的擦写效率和读取速度,功耗很小并且集成度很高。它是占据整个芯片面积的一半甚至更多的大型模拟模块,其电路设计及版图实现的周期最长,因此直接影响全芯片设计周期的长短。本论文对NOR FLASH和NAND FLASH从性能、成本、应用场合等方面进行了比较,并对NOR FLASH存储单元的原理进行了分析。根据NOR FLASH的特点,设计了一款用于SIM卡芯片的容量为160KB的NOR FLASH电路,并需要快速实现其版图设计。在版图设计实现过程中,根据FLASH电路的层次及功能结构,划分成十数个单元模块。为了满足使用Synopsys公司的自动布局布线工具IC compiler(简称ICC)进行版图的整体拼接要求,本论文分别对FLASH中划分出的模拟IP和数字IP制定了规则。在定制好单元模块的版图后,抽取了含有天线信息的LEF文件,并建立了Milkyway的数据库,作为ICC的输入文件。在使用ICC进行FLASH顶层版图的拼接时,建立了ICC的输入及脚本环境,进一步验证了各个单元模块的Milkyway数据库的正确性和完整性。在ICC的版图编辑界面中,进行模拟IP的手动布局和标准数字逻辑区域的划分,对于电源地线、时钟信号线等特殊线都需要手动实现。在经过ICC对标准逻辑单元的自动布局和非特殊信号线的自动布线并进行了初步验证后,导出gds文件,作为后续IP Merge工作的输入文件。FLASH的物理验证主要包括DRC、ANT(天线)、Latch up、ERC和LVS等检查。要求所有检查均通过,同时要满足电路设计的详细要求(checklist检查表内容)。至此,FLASH的物理实现工作结束,通过物理验证检查后达到提交数据量产的标准。