锆钛酸铅（PZT）材料以其优异的压电、铁电、介电和热释电等性能,被广泛用于制备各种微器件,如微力传感器、执行器、铁电存储器等。对PZT薄膜进行掺杂可以改变其性能。本文制备了锶掺杂的PZT薄膜,研究了五种不同腐蚀液配方对PZT薄膜的腐蚀作用,研究了锶掺杂对PZT薄膜介电性能、漏电流、铁电性能的影响;制备了锶掺杂PZT薄膜微悬臂梁结构,并对其传感性能和执行性能进行了测试。采用溶胶-凝胶法结合快速热处理工艺在Pt/Ti/SiO₂/Si上制备了四种不同锶掺杂浓度（x=0,0.02,0.04,0.06）的Pb_1-xSr_xZr_0.53TiO₃薄膜。通过比较五种不同腐蚀液配方对PZT薄膜的腐蚀效果,得到对PZT薄膜腐蚀速率适中,侧蚀较小的配方。对锶掺杂PZT薄膜进行了XRD衍射分析,四种不同锶掺杂浓度的PZT薄膜皆为钙钛矿相,锶掺杂改变了薄膜的择优取向。用原子力显微镜观察了锶掺杂PZT薄膜的表面形貌。研究了锶掺杂和电极面积对薄膜介电性能的影响,锶掺杂降低了PZT薄膜的介电常数和介电损耗。锶掺杂使得PZT薄膜的漏电流密度下降。四种锶掺杂的PZT薄膜皆呈现电滞回线特征,掺杂浓度为x=0,0.02的薄膜的剩余极化强度和矫顽场强较大。在前期工作的基础上制备了基于锶掺杂PZT薄膜的微悬臂梁结构。采用静态测试结合准静态测试的方法对四种不同锶掺杂浓度的PZT微悬臂梁进行了传感性能测试,锶掺杂降低了微悬臂梁的灵敏度。测试了微悬臂梁在不同电压下的位移响应和微悬臂梁的执行能力,计算了PZT薄膜的横向压电系数e₃₁。