作为无线接受装置的关键组成部分,低噪声放大器被用在许多领域,比如:移动通讯、雷达、卫星、电子对抗和蓝牙技术等。低噪声放大器必须均衡一系列的特性,比如噪声性能、增益、带宽、功率耗散和阻抗匹配。SiGe异质结器件可以满足以上要求,因为它们相比于硅器件,在功耗较低的情况下有更高的增益、更低的噪声系数、更高和更宽的工作频率和更优良的线性度。由于它的高性能、低成本和跟硅技术的兼容性,SiGe异质结器件呈现出对由GaAs和InP等昂贵的材料做成的器件的替代之势。对SiGe异质结低噪声放大器来说,其器件和电路都是非常关键的。所以本论文对SiGe异质结器件和射频宽带电路的设计都进行了阐述。一些相关的主要技术如下:1、器件的基区掺入了锗组分,由于基区的带隙减小导致出现明显的升高。为了改善频率特性,锗的组分是由基区的发射极一侧向集电极一侧线性增加的。2、为了解决基区掺杂物外扩的问题,采用两个解决办法:1)SiGe:C基区能有效地解决杂质外扩问题。2)未掺杂的缓冲层也能有效限制杂质外扩现象。另外,SiGe:C基区还能改进HBT的频率和增益特性。3、为了得到平坦的增益和宽带宽,低噪声放大器电路被设计成三个级,采用了两个反馈结构。4、采用一种开关电路来方便地控制低噪声放大器,使放大器只在需要的时候才工作,减少放大器的功率损耗。5、为了尽可能的减少射频芯片面积,电路的所有级都是自偏置结构,在整个低噪声放大器电路中只有一个大的电感。通过对SiGe异质结器件和电路的分析和设计,采用一种新的具有开关功能的放大器结构,在0.5到6GHz的工作频率范围内,具有很低的噪声系数(<2.236dB)和平坦的增益(>12dB)。以论文的仿真结果为基础,满足指标要求。