熔盐电沉积法制备Fe-6.5wt﹪Si薄板研究

来源 :河北理工学院 河北理工大学 | 被引量 : 8次 | 上传用户:q329118794
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由于Fe-6.5wt%Si合金极低的磁晶各向异性,近于零的磁致伸缩系数和很高的电阻率,致使该合金具有优秀的电磁性能,很适于在高频下工作的电器铁芯如高速电机、低噪音和低损耗变压器铁芯及磁屏蔽中的应用。但由于其塑性和其他机械加工性能差难以通过常规方法加工成型。多年来人们一直在寻求一种制备Fe-6.5wt%Si薄板的方法,本文就利用熔盐电沉积法在Fe-3wt%Si薄板上制备该合金,为该合金薄带的开发开创了一种新的途径。在750℃对含有6mol%Na2SiF6的FLINAK熔盐体系进行了研究,采用循环伏安法、计时电位法和计时电流法对Si4+在该熔盐体系的电化学反应机理和电结晶过程进行了较详细的研究。研究结果表明:硅的电化学反应为扩散控制的可逆电极过程,且产物不可溶;测定了750℃下硅离子在熔盐中的扩散系数:5.42×10-7cm2/s;该体系中硅的电结晶过程为半球形三维晶核连续长大过程;适当地增加过电位可使晶核密度增加,有利于获得较好的沉积层。对FLINAK熔盐体系电沉积硅的工艺条件进行了研究,利用金相显微镜、扫描电镜对镀层进行观察、检验,确定出合理的熔盐体系组成及温度范围;获得了在Fe-3wt%Si基体上电沉积硅的最佳工艺条件:T=730780℃,68mol%Na2SiF6。在对比了脉冲电镀和直流电镀的基础上,得出脉冲电镀的最佳工艺条件,成功地制得了厚度为2070μm的渗镀硅层。利用Spectrometer辉光放电光谱仪检验了镀层内硅的含量,并对渗镀过程进行了讨论。通过对渗硅制备Fe-6.5wt%Si薄板的要求分析,确定了扩散退火渗硅条件,并用计算机模拟了所在条件下硅的扩散过程;于1050℃下,高温退火3050min制备了Fe-6.5wt%Si薄板。
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