本文以实现高效低成本晶体硅太阳电池制备为目标，对激光技术应用在晶体硅电池制备中的一些新工艺进行了开发研究。本文第一章首先对晶体硅太阳电池的发展现状及技术方向做了介绍，随后分析了激光技术在晶体硅电池上的一些应用研究，指出激光工艺的优势及本工作重点。　　 第二章至第四章进行了多种激光工艺的开发实验，包括：　　 1激光隔离电池漏电区。通过利用Ⅳ测试、红外测试等手段分析研究晶体硅电池的漏电情况，采用激光刻蚀切断电池表面P-N结和电极，使电池表面局部的漏电源失去作用，从而修复因为局部漏电造成的低效率电池。本论文的工作形成了一套完整的工艺方法，通过对激光工艺的优化实现精确无损伤隔离，批量处理实验证实该技术可以将局部漏电低效电池的效率提高1～9％，恢复到同批次正常水平，进一步工作将尽快把该技术推向产业化。　　 2多晶硅表面激光织构化研究。该工作利用聚焦激光束在多晶硅表面刻蚀形成具有减反射效果的表面织构，通过尝试不同的刻蚀方案，优化激光参数，最终获得减反射性能较好的表面织构，其反射率在激光刻蚀后约为6～7％，经过化学腐蚀清洗后为10～15％，优于目前采用的纯化学方法。初步实验所制备的表面织构在结构尺寸和损伤控制方面还需要进一步改进。　　 3激光烧结背面点电极。该工作主要是开发用于制备背面点电极结构的激光烧结工艺，在实验中制作了采用蒸镀和印刷工艺制作金属层的样品，通过优化激光参数，采用多脉冲烧结逐步提高烧结质量和电池效率。相比蒸镀铝，印刷工艺在实验中显示出明显的优点。文中对影响点电极性能的因素进行了分析，对不同金属层的特性做了比较，初步掌握了激光烧结的技术特点和要求。　　 最后，本文对实验工作进行了总结，分析技术改进的共性问题和激光技术在晶体硅太阳电池的应用前景。