Sol-gel法制备钛酸锶钡铁电薄膜的改性研究

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随着新一代超大规模集居电路与器件发动态随机存储器、微波调谐器件、电光器件的发展,对高介电常数低介电温度系数、高耐击穿能力和低漏电流等特性的新材料需求必切.钛酸锶钡固溶体(Ba<,x>Sr<,1-x>TiO<,3>,BST)可通过调整Ba/Sr比使其居里温度下降,实现室温顺电相并无疲劳和老化现象、因而成为近年来倍受人们关注的材料.由Sol-gel法制备的铁电薄膜以其低烧结温度、控的化学计量比和均匀性好等工艺特点而成为微电子和集成光学等方面极具吸引力的侯选材料.该文以醋酸钡(Ba(CH<,3>COO)<,2>)、醋酸锶(Sr(CH<,3>COO)<,2>)、钛酸四丁酯(Ti(OC<,4>H<,9>)<,4>)等为起始原料,采用Sol-gel工艺成功地在Si(100)、Pt/Ti/SiO<,2>/Si和石英玻璃基片上沉积钛酸锶钡(BST)铁电薄膜.考察了本征BST薄膜的微观结构,展示了BST薄膜的电学和光学特性,探讨了多种优化BST薄膜的方案及其相应的物化机制.
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