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利用射频磁控反应溅射法在二氧化硅衬底上制备ZnO薄膜.该样品具有C轴择优取向的纤锌矿结构,锌、氧原子的比例接近ZnO的化学计量比,样品晶粒具有较大的平均尺寸;薄膜样品有较好的微晶表面;我们得到了不同温度下ZnO薄膜的吸收与光致发光.观测到了纵光学波(LO)声子吸收峰与自由激子吸收峰;室温(300K)下,PL谱中仅有自由激子发光峰.这些结果证实了ZnO薄膜具有较高的质量.探讨了变温ZnO薄膜的发光特性.研究了ZnO薄膜的受激发射特性.