目前，大规模工业生产SiC的方法有Acheson法和多热源法两种。Acheson法经过多年的应用已经很成熟，但生产的产品能耗高、产量低、质量差，生产成本居高不下。现在应用比较广泛的多热源合成SiC技术具有温度梯度小，热场均匀，SiC生成区域宽，合成的产品能耗低、产量高的特点。但是如果工艺控制不严格，产品结合部易石墨化、晶体缺陷多，影响了产品质量。多热源熔透法合成SiC经过实验室试验和工业化试验已经很成熟，在新疆得到了广泛推广。它在反应前期由多个热源发热，在反应后期由一个热源发热，降低了单耗提高了单产，合成出的产品品质高，对工业生产意义重大。 在传热学基础上，利用解析法对合成炉内反应前期热源叠加区和后期炉内传热方程进行计算，得出合成炉内不同时期的温度分布方程。利用模拟软件对多热源熔透法合成炉由多炉芯到单炉芯变化过程中炉内温度、热流强度、温度梯度变化规律进行研究。根据多热源熔透法反应前期和后期热源数目不同的特点，利用模拟软件研究了不同炉芯形状和间距对产品发育的影响。对反应结束后炉内只有一个热源和结晶筒的特点进行传热分析，利用能量守恒原理进行炉芯数目判定，结合生产实践对模型进行检验，证明其有较强的实用性。 以多热源熔透法技术进行工业合成试验，研究了不同原料、装炉设计、炉芯间距、供电工艺等对合成产品的影响。应用X衍射和扫描电镜对多热源法结合部产品和多热源熔透法产物进行测试。结果表明焙烧后的原料有利于工业生产，炉芯间距和供电工艺对多热源熔透法产品影响很大，应根据实际情况选择合适参数；多热源熔透法产品晶体缺陷少，高温型晶体含量高，结晶类型、晶体形貌趋于单一，有利于工业化生产高品质SiC产品。