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本文首先使用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了含氢碳膜，Raman光谱研究表明，当射频功率从500W上升到700W时，I_D／I_G从0.66增加到1.14，sp~2团簇尺寸变大；纳米压痕分析表明，当射频功率从500W上升到700W时，膜的硬度和弹性模量分别从12.0GPa和135.5GPa降低到8.0GPa和106.7GPa。同时利用高压探头测试了射频辉光放电过程中射频自负偏压与射频功率和工作气压的关系。结果我们发现，射频自负偏压与功率的平方根成正比，与工作气压倒数的平方根成正比，即与功率与工作气压商的平方根成正比。两者表明射频功率越高，射频自负偏压越高，离子能量越高，离子对膜的轰击作用增强，导致了薄膜石墨化和膜中H成分的减少。本文还采用脉冲等离子体增强化学气相沉积(Pulse-PECVD)法制备DLC膜。从脉冲峰值电压和气体成份两方面入手，研究得到性能比较优异薄膜的最佳的工艺参数。并利用SEM、XRD、Raman光谱、纳米压痕和摩擦磨损技术分析了薄膜的表面形貌、成分、结构和机械及摩擦学性能。结果表明，Pulse-PECVD法制备得到的DLC膜致密、表面光滑平整。随着脉冲峰值电压由2kV增加到4kV，薄膜的粗糙度减小，I_D／I_G值由2.03降低到1.056，硬度和弹性模量也分别由18.2和160GPa增加到了19.6和175GPa，硬度和弹性模量的增加，对应的薄膜的摩擦系数则由0.146降低到0.119。随着乙炔流量的从20SCCM增加到60SCCM，薄膜的粗糙度减小，I_D／I_G值由1.65降低到1.056，硬度和弹性模量也分别由15.9和145GPa增加到了19.6和175GPa，对应的薄膜的摩擦系数则由0.172降低到0.119。在乙炔流量为20SCCM时，薄膜没有形成明显的拉曼特征峰，证明乙炔的含量是形成均匀薄膜的主要影响因素。同时利用等离子体探针测试了脉冲辉光放电过程中系统的等离子体参数离子流密度，探索了薄膜的质量与脉冲电压和气体流量的关系。以上分析表明利用Pulse-PECVD技术制备的薄膜硬度高于利用RF-PECVD制备得到的碳膜的硬度。进一步提高制备薄膜的基体偏压和乙炔流量，有望获得综合性能更为优良的DLC的薄膜，为工业应用研究奠定基础。