种粮大户极端气象灾害风险感知影响因素及政府灾害管理应对策略 ——基于Logistic-ISM模型

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目前,关于输电线路的行波故障测距仿真研究主要停留在测距原理以及测距原理的改进层面,而对于整个行波测距的过程缺乏一个全面、系统的研究。这就使得单一的基于行波测距原理研究所给出的测距结果往往与实际应用中测距装置的测距结果间存在较大的误差。为了解决这一矛盾,本文在现有的测距理论基础上对测距装置的构成进行了进一步的分析和研究,利用PSCAD-MATLAB联合仿真技术搭建了一个具有模拟整个测距过程的行波故障
“住”是人类生活的基本需求之一,随着我国经济社会的高速发展,公众生活品质不断提升,对居住条件的需求也随之提高,房地产企业为了在激烈的市场竞争中夺得一席之地,需要从以往的高周转模式转向满足人们需求的高价值模式。价值源于需求,房地产企业要开发出高价值产品,就必须充分掌握潜在客户对住宅的需求,但以往收集需求的常用方法难以准确定位潜在客户、难以大范围收集需求信息,使得房地产企业向高价值模式的转型面临困难。
亚极光区分离质子极光弧是由于环电流质子沉降所形成,而内磁层中波粒相互作用是导致环电流质子沉降到电离层的重要物理机制,因此研究亚极光区分离质子极光弧的形成机制是研究电离层-磁层耦合的重要课题。为此,本论文基于多卫星协同观测研究电磁离子回旋(EMIC)波导致环电流离子沉降的物理机制。本论文研究了EMIC波导致环电流离子沉降的典型观测事件,通过利用电离层卫星和磁层卫星对电离层和内磁层进行实地协同观测,从
目前,在移动便携式电子产品市场的强烈需求推动下,低功耗将成为芯片的关键设计指标。尽管可以采用电路与系统级的方法来降低功耗,但芯片能效的根本限制仍然在于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的工作原理及其不变的物理极限,即在室温下,玻尔兹曼分布载流子不能够使MOSFET的亚阈值摆幅低于60 m V/dec。该物理极限最终决定了互补金属氧化物半导体(CMOS)技术可获得的最低能耗。隧穿场效应晶体
随着我国的综合国力不断增强,城镇化进程逐渐加快,国家的交通基础设施建设也取得了重大发展。而桥梁作为交通基础设施的重要组成部分,其运营安全问题受到了国内外学者的广泛关注。由于传统的直接量测法需要昂贵的成本和繁琐的操作,很难满足于目前桥梁检测的需求。因此,具有便捷、经济和高效等优点的间接量测法走进学者们的视野。该方法只需在移动小车上安装传感器,然后对车体信号进行分析即可获得桥梁的动态信息。本文以简支梁
由于自然灾害、环境侵蚀等因素影响,使得我国现役使用时间较长的建筑结构不断劣化,导致其正常使用功能受到了制约,甚至造成了巨大经济损失。整个社会对于现役建筑的安全性也越来越关注,通过结构损伤识别评估来避免建筑结构潜在的危险也显得越来越重要。但是由于结构的复杂性和环境、人为等因素存在,如何有效地识别结构损伤仍然是一个巨大的挑战。本文基于单自由度统计矩理论,使用贝叶斯思想和gibbs抽样相结合的方法,提出
薄层复合正渗透(TFC-FO)膜是一种渗透性好、截盐率高且结构可控的新型分离膜。一般由聚酯筛网/无纺布、多孔支撑层和超薄聚酰胺(PA)活性层组成,然而复合膜的性能却受聚酰胺活性层的结构、表面亲水性的影响较大。水铝英石纳米管(Imogolite,INTs)是一种具有优良亲水性的无机纳米材料,故而本文提出利用水铝英石纳米管作为聚酰胺薄层的改性材料,采用表面沉积法分别在正渗透膜的聚酰胺薄层或聚砜(PSF
电磁脉冲(EMP)与浪涌携带的高能量冲击会使整机或电子元器件损坏,瞬态电压抑制二极管(TVS)具有响应快、吸收功率高等优点,是常用的防护型器件。将其并联到工作电路两端,会以常规不到1 ns的时间吸收成千上万的浪涌功率将电压钳位到预定值。目前成熟的Si-TVS产品由于硅(Si)的材料特性限制表现出高漏电、低钳位电压、工作温度低和串并联形成组件等缺点,第三代半导体碳化硅(SiC)所具有的宽禁带、高临界
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随着集成电路产业发展和半导体工艺的进步,芯片规模越来越大,单颗芯片能实现的功能越来越多,单个公司或设计团队完成复杂片上系统(System on Chip,So C)的所有功能变得越来越困难,由多方合作设计芯片或使用第三方硬件知识产权(Intellectual Property,IP)核完成设计的设计模式越来越常见,而在多方合作中硬件IP核也更容易发生设计信息泄露,这给IP核安全带来威胁。因此如何有