铬掺杂锑化碲（Cr-SbTe）是一种新型相变存储材料,它与传统锗锑碲（GST）相变材料相比,具有稳定性高,功耗低,操作速度快等优点,是下一代相变存储器件理想的材料之一。制备限域结构的相变存储器件,刻蚀是重要工艺之一,然而目前针对这种新型材料的刻蚀工艺研究不足。基于此,论文从Cr-SbTe材料的反应离子刻蚀的工艺参数以及刻蚀机理等方面进行了研究和探索,具有重要的科学意义和应用价值。本文首先对Cr-SbTe的磁控溅射生长过程中功率对薄膜质量的影响进行了研究,优化得到了30W的射频溅射功率。然后对Cr-SbTe材料刻蚀工艺进行探索:刻蚀气体的组分与混合气体的比例,射频功率,工作压强等工艺参数对刻蚀速率,选择比和刻蚀后样品表面粗糙度等对反应离子刻蚀的影响进行了优化。研究发现,混合气体中氟基气体的浓度对刻蚀速率的影响较大,使用CF₄/Ar气体刻蚀后表面粗糙度普遍大于CHF₃/O₂。随着射频功率增加,样品的刻蚀速率呈现先升高后降低的趋势。随着腔室压强的增加,刻蚀速率先升高后降低,样品表面粗糙度先减小后增大。在综合以上刻蚀参数后,得到了使用CHF₃/O₂=40:10的混合气体,在150W射频功率和15m Torr的腔室压强下,反应离子刻蚀Cr-SbTe样品的刻蚀速率为108.1nm/min,刻蚀后样品表面均方根（RMS）粗糙度0.447nm,Cr-SbTe对光刻胶的选择比为0.65,对Ti N的选择比为6.54。基于以上工艺参数的分析研究,本文对Cr-SbTe的图形转移质量,刻蚀后侧壁陡直度,刻蚀过程中的化学反应机理以及刻蚀前后材料的相变性能的变化进行了研究。其中侧壁陡直度与混合气体中氟基气体的浓度有关,氟基气体浓度较低时侧壁陡直度较高。在比较刻蚀前后样品表面的XPS能谱图后发现,Cr-SbTe薄膜中,较容易刻蚀的是Cr和Te元素,但刻蚀后均易产生难脱附的氟化产物,而Sb元素刻蚀后产生的氟化产物含量较少,且刻蚀过程对材料的相变性能影响不大。最后对Cr-SbTe及相变存储结构单元的电学性能进行了分析。本文对使用刻蚀技术制备Cr-SbTe基相变存储器件提供了一定的理论依据和实践基础。