(Sr,Ba)TiO₃薄膜在DRAM、相位移器等领域的应用前景已成为国内外材料研究的主要领域之一。本文以Ba（Ac）₂、Sr（Ac）₂·1/2H₂O和Ti（OC₄H₉）₄为主要前驱化合物,研究了sol-gel技术制备薄膜的工艺参数、结构与性能的关系。 冰醋酸、无水乙醇作为溶剂,其用量分别为10～20ml,丙三醇和乙酰丙酮0.5～2ml分别作为表面活性剂和螯合剂时,制得溶胶的PH值为3～4,粘度为3cp～6cp,浓度为O.3～O.4mol/L。当均胶速率为3500r/min,时间为30s时,均胶三层的薄膜厚度为450nm。当升/降温速率为0.5～1℃/min,保温时间为1小时,薄膜表面颗粒分布均匀,无裂纹。Pt/TiO₂/SiO₂/Si（100）结构稳定了Pt电极,避免了电极的剥落。乙酰丙酮是较理想的螯合剂,它能使钙钛矿的形成温度降低到624℃,其机理为溶胶中的乙酰丙酮由酮式向烯醇式异构体的转变,容易地与Ti（COC₄H₉）₄螯合形成网络结构,而Ba²⁺、Sr²⁺等离子能均匀的分布在此网络中,热分解时金属离子能够均匀地分布,避免了某些阳离子的富集,利于晶相的形成,晶粒能够均匀地长大,其平均粒径为80nm。当薄膜的退火温度为750℃、厚度为450nm时,表现出较好的电性能。 SrTiO₃和BaTiO₃有不同的居里温度点,可以通过调整Sr/Ba,的比例改变SBT薄膜的居里温度点,获得最大的介电常数。在相同测试频率（1KHz）下,在低阻硅（3～6Ωcm）基片上制备的薄膜,Sr/Ba比为O.5（M₃）时,Sr₀.5Ban₀.5TiO₃薄膜相对于其它sr/Ba比的薄膜而言,其相对介电常数ε r最大（ε r=78）,介质损耗tan δ最小（tan δ=O.057）,最大介电常数温度点Tm为305K;但当同样Sr/Ba=O.5的薄膜在高阻硅（3000 Ω cm）基片上生成时,εr和tan δ分别为l 00.54和0.060,Tm为308K,其性能远优于低阻硅基片上生长的薄膜。在两种基片上沉积的薄膜均具有良好的介频特性。 微量元素铋、钇（其掺量范围分别为0.000～0.030mol）和铌（其掺量范围为0.000～O.0412mol）均降低了SBT薄膜的介质损耗tan δ,且随着微量元素添加量的增加,最大介电常数温度点Tm逐渐移向低温,介电常数峰的半高宽增