【摘 要】
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该文在了解808nm波长的高功率半导体激光器研究现状的基础上,首先对单元器件的结构进行充分的理论分析,对输出特性进行优化设计,对热特性及参主参数进行实例计算,得出了一种
【出 处】
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长春光学精密机械学院 长春理工大学
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该文在了解808nm波长的高功率半导体激光器研究现状的基础上,首先对单元器件的结构进行充分的理论分析,对输出特性进行优化设计,对热特性及参主参数进行实例计算,得出了一种合理的设计方案.实验中作者采用了分子束外延(MBE)设备,在n型GaAs衬底上生长连续工作的808nm波长高功率量子阱激光器的外延片,经过减薄、镀膜、合金、光刻、解理、焊接、测试等工艺流程,制成多元线性列阵器件,经过老化和筛选等,完成器件的整个的制作过程,所研制的列阵器件输出功率达20W以上,中心波长达808nm±3nm,寿命达3000小时以上.
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