当小颗粒尺寸进入纳米量级的时候(1～100nm),其本身具有量子尺寸效应、介电限域效应、表面效应、和宏观量子效应,因而展现出许多特有的性质,在声、光、电、磁以及生物等方面有广阔的应用前景,同时也将推动基础研究的发展。 本论文用电化学方法制备出多孔硅和纳米单晶硅,用热蒸发技术制各了四角状和线性一维ZnO纳米结构,用溶胶凝胶法制备出纳米氧化锌/多孔硅复合薄膜以及纳米羟基磷酸钙/多孔硅复合薄膜,并对各种制备方法进行了详细的研究。对所得的纳米结构进行了表征。主要研究内容如下: 1 系统研究了P型多孔硅、纳米硅和N型多孔硅的电化学制备条件,分析了腐蚀条件对多孔硅薄膜的微观结构的影响。 2 应用离子注入技术在硅衬底上局部形成高阻或低阻区,进而形成图形化的多孔硅阵列。同时对多孔硅在基因芯片中的应用也做了初步的研究。 3 以溶胶-凝胶法成功制得羟基磷酸钙(HAP),并实现了厚度约20μm HAP溶胶在多孔硅衬底上的涂布。发现热处理可提高HAP的晶格完整性。850—950℃热处理大大提高了HAP与多孔硅之间的粘附性。为传感器及集成电路植入人体、减少甚至完全避免生物排异奠定了基础。 4 分别用热蒸发法和溶胶凝胶法在多孔硅衬底上制备了ZnO纳米材料。用SEM和XRD对制备的ZnO做了比较分析。分析了热蒸发技术条件对ZnO纳米结构的影响。研究了用溶胶凝胶法制备纳米氧化锌的时候,退火温度,衬底等参数对氧化锌的影响。