Cu₂ZnSn（S,Se）₄（CZTSSe）是直接带隙半导体,具有制备成本低、无毒、光吸收系数大、带隙可调节且与太阳能电池吸收层最佳带隙接近等优点,在太阳能电池吸收层的应用中有广阔的前景。在柔性衬底上制备的CZTSSe具有可弯曲、便携、质量轻等优点,金属Mo箔是CZTSSe薄膜的最佳柔性衬底之一,可同时作为CZTSSe太阳能电池的背电极。CZTSSe薄膜与Mo衬底之间的界面接触特性影响背电极对光生载流子的收集、吸收层的结晶生长及其光电特性,对太阳能电池的光伏特性具有重要影响。因此,研究CZTSSe与柔性Mo衬底之间的界面接触特性具有重要的学术意义。本文采用溶胶凝胶法在柔性Mo衬底上制备CZTSSe薄膜,将前驱体溶胶旋涂在Mo衬底上,通过先硫化再硒化的热处理过程,生成CZTSSe薄膜。研究硒化热处理所用的硒粉质量、硒化温度、硒化时间对CZTSSe薄膜的组织结构、组分、表截面形貌及CZTSSe薄膜与Mo衬底之间的界面相结构、形貌、组分、电学接触特性的影响,并采用AFORS-HET v2.5工具研究CZTSSe带隙、Mo（S,Se）₂界面层的厚度和带隙对CZTSSe薄膜与Mo的电学接触特性的影响。研究工作总结如下:1)研究硒化时使用的硒粉质量对CZTSSe薄膜及CZTSSe/Mo界面接触特性的影响。随着硒粉质量从0.1g增加到1.6g,XRD谱中CZTSSe的衍射峰逐渐向左偏移,薄膜的Se/（S+Se）比例增大,CZTSSe薄膜颗粒尺寸略微增大,CZTSSe薄膜与Mo衬底之间的MoSe₂界面层的厚度从1.5μm增大至3.3μm,CZTSSe/Mo结构的I-V特性曲线斜率先增大至0.065,后减小为0.016。2)研究硒化温度对CZTSSe薄膜及CZTSSe/Mo界面接触特性的影响。随着硒化温度的从490℃升高至580℃,CZTSSe薄膜的Se/（S+Se）比例几乎不变,为0.90左右,CZTSSe薄膜颗粒尺寸从100nm增大至500nm,MoSe₂界面层的厚度从2.96μm增大至4.13μm,CZTSSe/Mo结构的I-V特性曲线斜率先增大至0.114,后减小为0.068,CZTSSe/Mo结构的电阻从9.15Ω增大至14.62Ω。3)研究硒化时间对CZTSSe薄膜及CZTSSe/Mo界面接触特性的影响。随着硒化时间从10min增加至40min,薄膜中Se/（S+Se）比例无明显变化,为0.80左右,CZTSSe薄膜颗粒尺寸先增大至1μm,在硒化时间为40min时减小为300nm左右,MoSe₂界面层的厚度先增大至3.72μm后减小为1.22μm,Cu、Zn元素流失,同时考虑CZTSSe颗粒尺寸、MoSe₂厚度和元素组分,最佳硒化时间应为40min。4)采用AFORS-HET v2.5工具建立CZTSSe/Mo（S,Se）₂/Mo模型,通过对泊松方程、电子/空穴连续性方程和电子/空穴电流密度方程的联立求解,仿真CZTSSe薄膜与Mo衬底的界面电学接触特性。CZTSSe的带隙和电子亲和能的增大,都会使CZTSSe/Mo（S,Se）₂/Mo结构的欧姆接触减弱并向整流接触转变。对于带隙较窄的CZTSSe,加入MoSe₂界面层使CZTSSe与Mo形成的欧姆接触转变为整流接触。对于带隙较宽的CZTSSe,加入厚度为2nm的Mo（S,Se）₂界面层使得CZTSSe与Mo形成的整流接触增强。制备功函数较小的CZTSSe,控制Mo（S,Se）₂的厚度在100nm左右可以降低CZTSSe/Mo（S,Se）₂界面处的势垒高度,使CZTSSe与Mo形成欧姆接触或整流比数值较低的整流接触。综上,适当地降低硒化温度、减少使用硒粉的质量以及控制硒化时间,可以减小MoSe₂界面层的厚度,进而减小CZTSSe/Mo结构的电阻,提高CZTSSe与Mo衬底的界面接触特性。