随着全球经济的一体化，企业面临的竞争环境日趋复杂，新产品开发作为企业运营中的核心要素，在企业发展中扮演着越来越重要的角色。成功的产品开发不仅能够增加企业持续盈利能力、培养企业的创新能力，还能够使企业在市场竞争中脱颖而出，对提升企业核心竞争力至关重要。但新产品开发具有不确定性和复杂性的特点，产品开发过程中蕴含的风险不容忽视，越来越多的企业开始关注新产品开发过程中的风险管理问题。　　论文首先阐述了风险管理的一般理论，然后对功率半导体新产品开发风险管理进行分类研究，通过对行业员工进行调查问卷，采用专家打分法、头脑风暴法、鱼刺图、调查表等定性和定量结合的方法并得出研究结果，识别功率半导体产品开发的关键风险管理维度:市场风险、技术风险和财务风险。并进行了风险因素分析及风险因素评价，在此基础上提出风险应对措施，对半导体企业降低产品开发风险有重要指导作用。　　论文最后以HWDZ公司的IGBT产品开发项目为例展开实证研究，明确了IGBT产品开发的风险识别、风险因素分析及评价，并提出了风险应对措施。