随着现代通信系统的发展,微波矢量调制器从20世纪80年代开始研究至今,已在各种微波通信中发挥着越来越重要的作用,目前国外的技术已相当成熟。从本世纪初开始国内开始了该领域的研究工作,并公开报道了一些混合式矢量调制器的文献报道,单片集成平衡矢量调制器的研制正在起步阶段。因此本文的工作具有很强的创新性,主要体现在以下：本文在国内原有的混合基础上首次应用单片工艺平台针对性的对单片集成矢量调制器的电路开展研究工作,并设计及做了一定实验工作。本文在GaAs基片上集成了功分器、耦合器以及有源器件FET,从而实现矢量调制器集成方案。本文是针对目前毫米波频段相控阵等系统的小型化应用而提出的芯片集成MMIC技术方案,利用国内的GaAs工艺平台集成电路,实现毫米波频段的矢量调制器。本文通过对比各类矢量调制器的特点及其相关工作原理,选择在GaAs PHEMT异质结材料上采用MMIC技术方案制作单片集成平衡I—Q矢量调制器的方案,工作频段为30—40GHz。本文将从以下几个方面进行研究闸述：1.介绍在各类现代通信系统中矢量调制器发挥的的作用以及目前国内外对调制器的研究现状。同时介绍了各种不同种类的调制器的工作原理。2.详细论述了平衡I-Q矢量调制器的理论基础,并介绍了采用单片集成的矢量调制器,并给出仿真结果。3.利用GaAs工艺平台在GaAs衬底上实现单片集成平衡I-Q矢量调制器,其中控制元件为PHEMT开关管芯。4.简单介绍矢量调制器加工工艺,测试方法以及测试结果。