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第一部分电针刺激曲池(LI11)和足三里(ST36)穴位能够减弱神经元自噬从而减轻缺血性脑卒中后神经损伤目的:探索EA是否可以通过调节神经细胞自噬水平从而减轻脑缺血再灌注损伤,并且寻找最佳的电针治疗参数。方法:将90只雄性Sprague‐Dawley大鼠(250g‐280g)随机分为5组:假手术(sham)组、大脑中动脉梗阻再灌注(MCAO/R)组、电针1(EA1)组(2Hz,1.0m A)、电针2(EA2)组(50Hz,1.0m A)和电针3(EA3)组(100Hz,1.0m A)。在大脑中动脉梗阻后24小时给予电针治疗,每日1次,连续3天。电针治疗的部位是大鼠右侧患肢曲池(LI11)和足三里(ST36)穴位。缺血/再灌注72小时后进行神经功能缺损评估,随后进行TTC染色来评估脑梗死体积。Western blot检测LC3(微管相关蛋白1轻链3)、P62(选择性自噬接头蛋白)、LAMP‐1(溶酶体关联膜蛋白1)和Atg5(重组人自体吞噬相关蛋白5)蛋白的表达情况。结果:分别于I/R损伤后2小时和72小时进行神经功能缺损评分。EA组和MCAO/R组大鼠均有明显的神经功能缺损症状,sham组大鼠无神经缺损症状。I/R损伤72h后,MCAO/R组神经功能缺损评分明显高于sham组(P<0.01),而EA1组神经功能缺损程度低于MCAO/R组(P<0.05)。不同频率的EA组神经功能评分均低于MCAO/R组。sham组大鼠无脑梗死,而MCAO/R组脑梗死体积明显高于EA1组(P<0.05),且EA2和EA3组的脑梗死体积和神经功能缺损评分均显著高于EA1组,因此EA1组的治疗参数是电针治疗的最佳参数组合。Western blot检测结果表明,MCAO/R组的LC3Ⅱ/Ⅰ(P<0.01)和Atg5(P<0.05)表达水平高于sham组,P62(P<0.05)和LAMP‐1(P<0.01)的表达量低于sham组;而EA1组LC3‐Ⅱ/Ⅰ(P<0.01)和Atg5(P<0.01)表达水平低于MCAO/R组,P62(P<0.05)和LAMP‐1(P<0.05)的表达量高于MCAO/R组;而EA2组(P<0.05)和EA3组(P<0.05)LC3Ⅱ/Ⅰ的表达水平低于MCAO/R组。EA3组LAMP‐1的表达水平高于MCAO/R组(P<0.05).结论:电针治疗可以通过调节神经细胞自噬水平对脑缺血/再灌注大鼠有显著的治疗作用,能够减少脑梗死体积,降低大鼠神经功能缺损评分,研究结果提示1.0m A和2Hz的治疗参数是减轻缺血性脑卒中后脑损伤的最佳推荐治疗参数组合。第二部分电针刺激脑梗死大鼠曲池(LI11)和足三里(ST36)穴位对PI3K/AKT通路的影响目的:探究电针刺激足三里穴(ST36)和曲池穴(LI11)是否通过调节PI3K/AKT/m TOR信号通路抑制神经细胞自噬和凋亡,从而对缺血性脑卒后的大鼠产生神经保护作用。方法:将90只雄性Sprague‐Dawley大鼠(250g‐280g)随机分为5组(n=18/组),(i)假手术组(sham);(ii)大脑中动脉梗阻再灌注组(MCAO/R);(iii)电针组(EA),在大脑中动脉梗阻/再灌注后24小时给予电针治疗,每日1次,连续3天。电针治疗部位是大鼠右侧患肢的曲池(LI11)和足三里(ST36)穴位;(iv)电针+溶剂组(EA+NC),每日腹腔注射溶剂,制作脑缺血模型之前连续注射3天,术前30min进行最后一次注射。其余操作步骤均与EA组相同;(v)电针+抑制剂组(EA+D),每日腹腔注射PI3K的抑制剂Dactolisib,连续注射3天,最后一次注射时间为术前30min。其余操作步骤均与EA+NC组相同。缺血/再灌注72小时后每组取5只大鼠用于western blot检测LC3、P62、LAMP‐1、CCAS3(裂解的半胱氨酸蛋白酶3)、PI3K(磷脂酰肌醇3-激酶)、Atg7(自噬相关蛋白7)、t‐m TOR(总哺乳动物雷帕霉素靶蛋白)、P‐m TOR(磷酸化的哺乳动物雷帕霉素靶蛋白)、t‐AKT(总蛋白激酶B)和P‐AKT(磷酸化的蛋白激酶B)蛋白的表达情况;每组取5只大鼠用于免疫荧光检测LC3的表达。结果:Western blot检测结果表明,MCAO/R组的LC3Ⅱ/Ⅰ、CCAS3、Atg7表达水平高于sham组,而P62、LAMP‐1、PI3K、P‐m TOR、P‐AKT的表达水平低于sham组(P<0.01);EA组LC3Ⅱ/Ⅰ(P<0.01)、CCAS3(P<0.01)、Atg7(P<0.05)表达水平低于MCAO/R组,而P62、LAMP‐1、PI3K、P‐m TOR、P‐AKT的表达水平高于MCAO/R组(P<0.01);EA+D组的LC3Ⅱ/Ⅰ(P<0.01)、CCAS3(P<0.01)、Atg7(P<0.05)表达水平高于EA和EA+NC组,而P62、LAMP‐1、PI3K、P‐m TOR的表达水平低于EA和EA+NC组(P<0.01),EA+D组的P‐AKT表达水平较EA组显著降低(P<0.01)。免疫荧光法检测LC3蛋白的表达量,EA(P<0.05)和EA+NC(P<0.05)组的LC3表达水平与MCAO/R组相比显著降低;EA+D组LC3水平明显高于EA组(P<0.05)和EA+NC组(P<0.05)。结论:研究结果表明大鼠脑缺血再灌注(I/R)损伤后,电针刺激曲池(LI11)和足三里(ST36)穴位能激活PI3K/AKT/m TOR信号通路,抑制神经元的自噬与凋亡,从而发挥神经保护作用。