脉冲功率技术是由于国防需要而发展起来的一门新兴科学技术，并在基础研究、环境保护、生物医学等领域的应用得到了极大的拓展。光电导开关是脉冲功率系统中的关键器件，其性能直接决定着脉冲功率装置的输出特性，甚至是脉冲功率系统成败的关键。随着脉冲功率技术往高功率、高电压方向发展，这对光电导开关的耐压能力提出了很高的要求。而光电导开关沿面闪络现象是光电导开关耐压能力的一个重要限制因素。　　本文基于SI-GaAs光电导开关非线性导通机制和固体电介质沿面闪络的SEEA理论，研究了光触发条件下光电导开关沿面闪络机理。分析指出沿面闪络起始阶段的初始电子主要来源于光触发后产生的局部电子积累区的场致电子发射，通过计算得出电子积累区的电子浓度达到1017cm-3时，其已经具有发射电子的能力。发射出来的电子通过二次电子发射雪崩最终发展成贯穿的导电通道。相比于暗态电介质沿面闪络，触发光特性、延迟时间以及电流丝热效应等与光电导开关独有工作特性相关的因素也能影响光电导开关的沿面闪络。　　本文通过对18mm光电导开关耐压测试发现，开关表面沿面闪络可抑制光激发电荷畴形成，甚至猝灭开关，表现为闪络发生时，开关输出电脉冲幅值降低，脉宽变宽。分析认为这是由于沿面闪络发生时的二次电子发射在光电导开关内部留下的大量空穴改变了开关内部电场分布造成的。该现象起始的理论阈值已在文中给出。