Cu-Ni合金在常见合金中塞贝克系数最高,此外,还具有良好的力学性能、高温热稳定性、价格低廉等优势。但是,过高的热导率限制了其在热电领域的应用。因此,本文以Cu-Ni合金为研究对象,通过不同的制备加工工艺,包括室温轧制、甩带结合放电等离子体烧结、磁控溅射,引入晶界、位错、孔隙等散射中心,降低Cu-Ni的热导率,提高热电性能,主要研究成果如下:1)采用熔炼结合室温轧制技术制备了Cu-Ni热电合金。随着轧制变形量增大,热导率不断减小。当轧制变形量为94%时,由于晶粒细化、位错密度增大,晶界与位错散射增强,晶格热导率在573 K时下降了近90%,最终使得z T在573 K时达到最大值0.138,比室温轧制前提高了30.0%,同时,在细晶强化和形变强化的共同作用下,94%变形量的样品室温硬度达到198.9 HV,提高了115.7%。值得注意的是,室温轧制不仅能够有效提高Cu-Ni合金的热电及力学性能,同时成本较低、能够实现批量生产,是一种有望实现商业化的Cu-Ni热电材料加工工艺。2)采用甩带结合放电等离子体烧结技术（MS-SPS）成功制备了多孔Cu-Ni合金。与加入球磨（BM）后制备的样品相比较,无球磨的制备工艺有利于孔隙率的优化,更容易得到低热导率与高z T。在MS-SPS工艺中,当烧结温度由500℃下降到400℃,烧结压力由35 MPa下降到15 MPa时,热导率和电导率在573 K时分别降低了65.8%和48.0%,塞贝克系数提高了6.1%,z T提高了70.7%,最高可达0.239。综上所述,MS-SPS通过引入多种散射机制显著提高了Cu-Ni合金的热电性能,当烧结温度为400℃,烧结压力为15 MPa时,热电性能最优。3)采用直流磁控溅射在Si/SiO2衬底上制备了（111）择优取向且热电性能优异的二维纳米晶Cu-Ni薄膜。受到衬底的影响,功率因子可达39.95 m W m-1K-2,而且在晶界散射和界面散射共同作用下,Cu-Ni薄膜的热导率仅为6.4 W m-1K-1,与块体相比,降低了80.1%。最终得到的室温z T达到了0.165,是块体的4倍以上。磁控溅射沉积速率快,并且可以大批量生产,有助于实现Cu-Ni热电材料的商业化应用。以上研究成果为降低Cu-Ni合金热导率,提高其热电性能,拓展Cu-Ni的应用提供了解决方案,为实现对便携式医疗检测、直接式胎压监测系统等设备的供能奠定了基础。