本论文对半绝缘GaAs光电导开关为偶极辐射天线产生高功率太赫兹电磁波的技术进行了研究,主要做了以下几个方面的工作：其一、对空间电荷电场形成的动态过程进行了研究,分析了太赫兹辐射频谱的中心频率随光导天线电极间隙减小向高频端移动的实验现象；用载流子弛豫时间和载流子速度过冲效应解释了光导天线的THz辐射频谱的中心频率随偏置电场的增加向高频移动的实验现象。详细的分析两种屏蔽效应对THz辐射的影响。其二,不同电极间隙大小以及不同电极宽度的半绝缘GaAs光电导天线辐射THz电磁波进行对比实验。电极宽度越宽,天线THz辐射的稳定性越好；在相同入射激光功率,全电极间隙照射的情况下,间隙大的天线THz辐射效率要大于间隙小的辐射效率,并用屏蔽效应进行了分析。其三、,从实验上证实了用光电导天线阵列大幅度提高THz辐射功率可行性。通过对阵列天线一个单元与传统共振偶极天线在相同的偏置电场下辐射THz脉冲进行性能对比测试,除去陶瓷吸收后的测试结果得到：如果有光斑足够大,能量很高的fs激光做泵浦光,8个单元组成的叉指型电极形状的天线阵列所辐射的THz场强将是在相同偏置电场下传统共振偶极天线所辐射THz场强的10多倍。其四、运用大孔径光电导天线理论模型数值模拟了载流子寿命、激光脉冲宽度、载流子的弛豫时间以及入射光通量对光电导天线辐射THz波的影响。