【摘 要】
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应变硅技术通过在传统的体硅器件中引入应力来改善迁移率进而提高器件性能,而且应变CMOS以体硅工艺为基础而不需要太过复杂的工艺,因而正在作为一种廉价而高效的技术而得到越
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应变硅技术通过在传统的体硅器件中引入应力来改善迁移率进而提高器件性能,而且应变CMOS以体硅工艺为基础而不需要太过复杂的工艺,因而正在作为一种廉价而高效的技术而得到越来越广泛的应用。本文研究应变硅和应变硅锗物理特性和MOS器件电学特性,研究建立应变硅表面沟道MOsFET、应变硅锗表面和埋沟MOSFET结构模型,采用耗尽层近似和一维泊松方程,分别建立其阈值电压模型,建立伏安特性、跨导、漏导和截止频率等电学特性参数,并用MATLAB进行了模拟分析。应用二维器件模拟软件MEDICI对集成CMOS器件主要结构参数对器件性能的影响做模拟研究,以选取适当的参数优化器件性能。通过模拟的结果证明这种新型器件性能良好,具有很好的应用前景。
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