聚偏氟乙烯(PVDF)及其共聚物因具有良好的热释电性、铁电性、压电性、电热效应等性能,可以将其用于大面积集成红外焦平面阵列的研制。本论文的工作主要围绕着基于P(VDF-TrFE)聚合物薄膜的高性能非制冷热释电红外探测器的研制开展。首先使用sol-gel方法制备了高结晶性且热释电性能良好的P(VDF-TrFE)薄膜。其次对P(VDF-TrFE)铁电聚合物薄膜激活场随温度的变化关系进行了系统的研究。然后根据表面等离子体共振技术,在器件中引入光栅结构来提高器件对红外光的吸收效率。最后,对高性能非制冷热释电探测器红外焦平面的制作工艺进行了初步探索,得到了以下结果：(1)采用sol-gel法制备P(VDF-TrFE)铁电薄膜,其热释电系数的值随温度的升高而呈上升趋势,介于20.8-33.1μC/m2K之间,热释电性能良好。P(VDF-TrFE)铁电薄膜激活场α的值随温度的变化而变化的行为反映了P(VDF-TrFE)的分子构型的变化或者分子链的堆砌或重排等一些微观结构的改变,为研究P(VDF-TrFE)勺极化反转机理提供了实验依据,对基于P(VDF-TrFE)的电子器件的设计和优化,提供了有用的信息。(2)对小尺寸光栅器件的制作工艺进行了摸索,获得了较好的工艺参数,成功制备出周期为6μm、8μm、10μm、16μm、24μm和32μm的光栅结构器件,其对红外光的吸收效率均高于等面积的非光栅结构器件,证明光栅结构可以提高器件对红外光的吸收效率。(3)采用热蒸发技术制备出的铟柱,高度均大于5μm,直径为20μm,符合倒装焊的要求,在铟柱与电极间增加的Ti/Pt/Au多层金属膜结构有效地阻止了铟与金属电极形成合金。解决了红外焦平面器件制作过程中器件与读出电路对接时铟柱生长的问题,为红外焦平面的制作打下了一定的基础,取得一些具有创新性且有意义的成果。