金属有机物化学气相沉积(MOCVD)是当今最先进、最主要的制备半导体材料和器件的技术,特别是在制备GaN基LED方面具有广泛的应用前景和市场需求。MOCVD设备的反应室是核心部件,反应室设计的优劣直接关系到其所生长薄膜的质量。利用计算机对反应室进行建模仿真研究,是研究反应室不可或缺的方法。本文采用FLUENT软件对MOCVD设备反应室进行了二维数学模型分析与计算。文中分析了设备的工艺参数和反应室几何结构对反应室内流场和温度场的影响。研究发现,在一定范围内,增大入口速度、降低操作压强、设定适宜的基座温度、保持合理的基座转速、增大入口面积、减小入口与基座的间距等,不仅可以有效地抑制热浮力效应,同时也使基座表面的流动速度增大,从而使反应室内的流场和温度场均匀分布；并对MOCVD设备的入口进气方式进行改进,以形成稳定均匀的流场和温度场。