全球对化石燃料的依赖以及温室气体人为排放量的增加,使得未来必须开发清洁的可再生能源。太阳能是最有希望解决能源危机和环境污染的可再生能源。虽然太阳能可以通过使用太阳能电池吸收转换,但是这种光伏设备受到太阳光间歇性的限制。因此,有必要采用新的方法储存太阳能以满足能源的需求。利用太阳能驱动分解水就是一种有效的途径,因为它可以在没有碳参与的条件下产生绿色环保的氢能。本文通过使用自制的卤化物化学气相沉积（HCVD）装置对InN纳米棒和InGaN纳米棒的生长制备进行了研究,并对所制备的InGaN纳米棒光电催化（PEC）水分解性能进行了测试分析。取得的主要结果如下:（1）利用HCVD法,以InCl3为铟源,NH3为氮源,在Si（111）衬底上实现无催化InN微纳米棒的可控生长。考察了InCl3源区温度、NH3流量和N2载气流量对InN微纳米棒形貌结构的影响。结果表明,InCl3源区温度的升高有利于提高InN纳米棒的形核率和生长速率;NH3流量大小对InN纳米棒晶体质量有重要影响,适量NH3流量会满足In源生长需要的Ⅴ/Ⅲ比,改善纳米棒晶体质量,当NH3流量过大时,In空位缺陷的形成会使晶体质量变差;N2载气流量大小会影响In源和N源的浓度和偏压,从而能有效调控InN纳米棒直径和生长速率。（2）在InN纳米棒可控制备的基础上,加入GaCl3并以其为镓源,进行了InGaN纳米棒的生长制备。研究了反应温度和Ga源放入量对InGaN纳米棒形貌组分的影响,同时对所制备InGaN纳米棒样品的PEC水分解性能进行了测试分析。结果表明,反应温度升高有利于Ga原子并入,当反应温度过高时,InN的分解会降低晶体生长速率和生长质量;Ga源放入量提高有利于提高InGaN纳米棒的形核率及比表面积,但Ga源放入量过高会促使纳米棒相互合并降低晶体质量。光电化学测试表明,除了组分之外,InGaN纳米棒的缺陷密度也会影响其PEC性能,纳米棒在合并过程中会引入大量晶体缺陷使大量光生载流子在缺陷处复合从而导致光电流密度大幅降低;同时,高密度的表面态会造成费米能级的钉扎,使得光电压降低;在稳定性测试中表明所制备InGaN纳米棒具有较好的抗光腐蚀性能。总之,利用InCl3、GaCl3为原料,实现了直径为200nm-1600nm的InN纳米棒可控制备,并实现了最高Ga含量为23%的InGaN纳米棒制备。将其制备为光电极进行PEC水分解测试发现缺陷密度的升高是影响PEC水分解性能的主要因素,为未来进一步提高InGaN纳米棒PEC水分解效率奠定了基础。