二氧化硅薄膜具有良好的绝缘性、稳定性和机械特性,同时又是一种实用的低折射率材料,可以作为绝缘层、保护膜、钝化膜或光学薄膜,广泛应用于半导体、微波、光电子以及光学器件等领域。目前制备二氧化硅薄膜的方法有脉冲激光沉积法、等离子体增强化学气相沉积法、热氧化法等,以上几种镀膜方法应用在光学薄膜领域都有各种缺点,难以克服。中频反应磁控溅射是一种目前很先进的物理沉积方法。其在大面积,高反射率光学薄膜领域有极大的优势,其制备的大面积高反射膜是最有可能运用于大型光学镀膜技术,但是目前中频反应磁控溅射制备二氧化硅薄膜的工艺存在许多问题。薄膜反射率没有达到工程性能要求,还没有展开其薄膜的微纳力学性能方面的研究。本论文利用中频反应磁控溅射装备以及大量检测设备,通过实验进一步优化了高反射率二氧化硅薄膜的工艺。验证了中频反应磁控溅射制备二氧化硅薄膜的均匀性,并根据实验以及现实情况制定了中频反应磁控溅射制备二氧化硅薄膜的工艺参数。在微纳力学性能的研究方面,论文研究了工艺参数对薄膜弹性模量和硬度的影响,并得出了获得最大硬度和弹性模量的工艺参数,进行了纳米划痕试验。电子束蒸发镀膜也是一种比较适用的物理镀膜方法,本文对两种镀膜方法进行了表面成分、反射率、表面形貌、膜基结合力、硬度、弹性模量方面对比。