最近几年,氮化铝镓氮化镓高电子迁移率晶体管越来越得到研究者的青睐。此半导体功率器件具有卓越性能,其原因主要是其突出的材料特性优势,例如,在异质节处有高浓度的二维电子气,通道层处载流子具有高的迁移率和饱和速度,而且具有大的临界击穿电场。本文将会展现具有典型场板结构的氮化铝镓氮化镓高电子迁移率晶体管的电热应力的结果,用于仿真计算器件电热分布的方法是自洽的电热仿真算法,并且用自己的程序计算器件的应力场分布。首先,为了确定氮化铝镓氮化镓高电子迁移率晶体管的结构模型和材料组成,分别用光学和扫描电子显微镜观测器件截面图片,用光谱物质分析方法检测结构的物质组成。第二,用TCAD仿真软件模拟氮化铝镓氮化镓高电子迁移率晶体管异质节处的二维电子气模型,而且,在即使没有掺杂的情况下,由于自发极化和压电极化效应的作用,在此处也能产生高浓度的二维电子气。另外,采用温变的低场迁移率模型、肖克莱-瑞丽-霍尔载流子生成复合模型和晶格热模型等来计算仿真此功率器件。最后,一系列如泊松方程、连续性方程、运输方程、晶格热流方程等基本半导体方程被采用来用于参数的计算。另外,利用高功率微波实验下测得的器件失效功率,解析地计算出了器件的失效温度。而且,器件热阻和热容的计算方法以及器件通道温度随时间变化的趋势都会在本文中详细地展示。另外,以上通过解析计算得到的结果会和TCAD软件仿真计算结果进行对比。最后,用有限元方法编写的程序来计算器件二维模型的应力场分布。为了深入地探究和分析导致器件失效的内部因素,器件截面的温度和热应力分布图都将得到清晰明确地展示。