纳米半导体材料由于具有传统宏观材料所不具备的优异特性,引起了广泛的研究兴趣。二氧化锡作为一种宽禁带透明半导体材料,在科研上被广泛应用于锂离子电池、气体传感器、光催化、太阳能电池等领域,对其微观形貌和表面结构的控制是获得优异性能的关键。传统制备含氧空位纳米结构二氧化锡的方法主要是水热法和气相沉积法等方法,但存在制备时间长,工艺复杂等问题。本论文针对含氧空位纳米结构二氧化锡制备领域的科学问题和关键技术展开研究,主要内容如下:（1）利用SnCl2作为锡源和熔盐反应介质,石墨作为还原剂,采用原位熔盐氧化法合成含有氧空位的纳米结构SnO2;通过X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱分析等手段对获得的花状二氧化锡进行形貌和结构表征,确认了氧空位的存在;电导率测试结果验证了氧空位在产物中可以提供载流子、提高材料的导电性;对反应过程进行热力学计算并结合实验结果进行分析,揭示了含氧空位的二氧化锡花状纳米结构的形成机理。（2）以无水氯化亚锡和天然石墨作为反应物,在500℃下制备了二氧化锡纳米棒和少层石墨复合材料;通过X射线衍射、扫描电子显微镜和拉曼光谱分析等多种表征手段清晰的表征了产物的结构和形貌;将制备的复合物应用于锂离子电池负极材料获得了良好的电化学性能,500次充放电循环后复合材料的比容量仍然保持495 mAh g-1。