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当半导体材料尺度达到纳米数量级，由于量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应、量子隧道效应、体积效应等特性的影响，使得纳米半导体材料表现出奇特的电/磁学、光学、光电转换、光催化等性能，引起广泛关注与研究。随着纳米科学技术的不断进步，半导体纳米材料将给人类生活带来巨大的冲击，影响生活的方方面面。本文以二氧化锡为研究对象，通过简易热蒸发法成功制备二氧化锡多种纳米结构。实验过程中通过改变退火温度、退火时间、源、有无催化剂等条件调控二氧化锡纳米结构的形貌、尺寸。利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电