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具有类黄铜矿结构的CuInS2属于直接带隙半导体材料,对可见光的吸收率很高,且对温度的变化不敏感,禁带宽度为1.50 eV,接近太阳电池吸收层材料的最佳禁带宽度(1.45 eV),因而是太阳电池有前景的光吸收层材料之一本文采用粉末涂敷法制备CuInS2薄膜。采用两种方法制备前驱体料浆,一是利用感应熔炼制备的Cu-In合金和单质S粉为原料,两者混合后研磨得到前驱体料浆,二是利用CuS、In2S3为原料研磨制备前驱料浆。研磨后的料浆涂覆在玻璃衬底形成前驱体膜,前驱体膜在N2气氛中进行热处理,最