钛酸锶钡和氧化铈薄膜的制备及物理性能表征

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【摘要】

：

采用两步生长法,利用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了10~40 nm的外延CeO_2薄膜,采用磁控溅射法构建了Pt/CeO_2/Si MOS结构,进一步表征了CeO_2薄膜的界面和介电性能,根据等效氧化物厚度-物理厚度曲线得出CeO_2薄膜的介电常数为37,由高频电容电导法计算得出界面态密度为10~(12)量级。利用外延CeO_2薄膜充当缓冲层,应用脉冲激光沉积法在CeO_2/Si(11

【作者】

：

代鹏超

【机构】

：

河北大学

【发表日期】

：

2011年06期

【关键词】

：

BaxSr1-xTiO3薄膜非晶Ni-Ti阻挡层 CeO2缓冲层导电机制

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