随着5G技术快速的发展,电子产品也在向着体积更小,功率更高的方向快速推进,这除了效率的提高也带来了严重的散热问题及电磁干扰问题。而中国目前站在世界5G技术发展的前列,所面临的配套设施建设问题带来的巨大挑战。且随着5G技术的发展,带来了更多的应用场景,要保证5G设备在各种复杂条件下的应用也是当务之急。传统的散热、电磁屏蔽材料,如铝、铜等难以适应复杂环境,且密度大,无法达成设备轻量化的目标。而聚醚醚酮材料,本身作为应用于高精尖领域,如航空、航天等领域的材料,其自身具备优异的耐蚀性、耐辐射、抗冲击、易加工等性能,但是同时拥有高分子材料共有的导电、导热及电磁屏蔽性能差的问题。如何解决聚醚醚酮树脂存在的缺陷,使其变成具备高导热、电磁屏蔽性能的特种工程材料,是目前的研究的重点问题。首先采用了二氯乙酸溶液共混及机械共混的方法分别制备了晶须碳纳米管/聚醚醚酮复合材料及石墨/聚醚醚酮复合材料,并通过溶液共混法制备了晶须碳纳米管/石墨/聚醚醚酮复合材料三元复合材料。通过对比可以发现溶液共混法可以有效地提高填料在基体中的分散效果,降低了材料的导电逾渗值,并提高复合材料的导电、导热、电磁屏蔽性能。将晶须碳纳米管引入石墨/聚醚醚酮体系构成三元复合材料后,复合材料的性能得到了明显的提升,3wt%WhCNTs/30wt%Gr/PEEK的水平方向导热系数达到了2.33 W/m·K,电导率达到了23.41 S/m,电磁波屏蔽性能可达31.8 d B。之后在溶液共混的基础上,通过溶液浇筑法制备了晶须碳纳米管/MXene/聚醚醚酮复合膜,这种方法有效的降低了聚醚醚酮复合材料的成型温度。从SEM图像中可以看到PEEK膜表面附着了一层连续的MXene层。在性能测试中,由于MXene层相互搭接构成有效的导电导热网络,加之性能优异的晶须碳纳米管的引入进一步完善的导热网络的构建,晶须碳纳米管/MXene/聚醚醚酮复合膜材料也展现了优异的性能,最高含量下（20wt%Wh-CNTs/9.1wt%MXene）水平方向导热率达到了3.37 W/m·K、电导率达到了141.3 S/m、EMI SE达到了45.8d B。