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碲,是一种重要的半导体材料,其禁带宽度为0.34 ev。碲的化合物纳米材料是非常重要的半导体光电材料,具有很优异的物理和化学性质,在半导体纳米器件和生物医学领域有广阔的应用前景。本文选取碲纳米线为研究对象,研究碲纳米线的电输运性能和光电特性。本文的主要研究工作如下:1.本文采用水热法合成了具有分散性良好、纯度高、结晶性好的单根Te纳米线,直径约为80 nm-200 nm。利用XRD和SEM分析手段对合成的碲纳米线进行表征,结果表明XRD图显示的最强峰[101]是碲纳米线的生长方向。2.采用深紫外曝光