近年来,AlGaN/GaN肖特基二极管具备开关速度快、击穿场强高、热性能好等优点,在电源开关领域具有重要应用价值,然而AlGaN/GaN SBD开启电压较高。一种混合结构整流器,特点为阳极由凹槽肖特基和欧姆接触互联组成。该结构具有栅控功能,器件的开启电压取决于沟道的阈值电压而不受肖特基势垒高度影响,能有效减小器件开启电压。本文从结构仿真和器件制备两方面对混合阳极AlGaN/GaN SBD进行细致研究。研究思路如下:首先利用Silvaco-ATLAS仿真软件分析了阳极凹槽深度和肖特基/欧姆(L_sc/d)比值变化对器件特性的影响,通过仿真确定了器件结构参数并指导器件版图设计。然后制备了实际的混合阳极AlGaN/GaN SBD,随后完成了器件直流测试,验证了凹槽深度及L_sc/d参数变化对器件特性的影响趋势。最后分析了阴阳极间距、浮动金属条和Si N钝化层对器件特性影响,对比常规器件结构,突出了该混合结构所具有的优异特性。在器件的仿真部分,通过模拟不同刻蚀深度和肖特基/欧姆比值来研究混合阳极AlGaN/GaN SBD的伏安特性。随着阳极凹槽深度的增加,肖特基接触下方二维电子气（2DEG）浓度减小,器件的开启电压逐渐增加并趋于饱和,击穿电压迅速增加到最大值后基本保持不变。深度小于15nm时,肖特基凹槽下方2DEG不能完全耗尽。当施加阳极偏压,阴极和阳极欧姆之间容易导通,器件伏安特性曲线近似于欧姆特性。深度为19nm和24nm（完全刻蚀）的正向特性基本相同,此时电子倾向于通过阳极的肖特基金属而不是阳极欧姆金属。随着阳极L_sc/d比值的增加,器件开启电压和反向击穿的变化规律与深度变化对器件的特性影响基本类似。由于L_sc逐渐增加即导电沟道的延伸,引起特征导通电阻增加,器件开启电压随之增加,当肖特基长度与阴阳极间距相比拟时,L_sc的增加对器件的正向特性影响较小。当肖特基长度大于2μm时,反偏时肖特基耗尽区域能有效阻断Ga N缓冲层的漏电通道,器件击穿电压保持在600V左右。因此当凹槽深度为16nm、L_sc/d为2/60时能兼顾器件的低开启电压和反向击穿。完成了实际器件的制备与电学测试,测试结果和仿真结论基本吻合,实验验证了器件仿真的可靠性。探究了不同阴阳极间距对器件的影响,结果表明随着阴阳极间距逐渐增加,反向击穿逐渐增大,但耐压改变量较小。之后研究了肖特基长度分别为2μm和4μm时,浮动金属条与肖特基接触距离对器件击穿特性的影响,发现器件的最大击穿电压所对应间距均为6μm。针对阴阳极间距变化,击穿电压改变较小的原因,分析可能由于Si N钝化引起的界面漏电问题,之后证实了Si N的移除能有效改善器件的反向泄漏电流,提高了器件的击穿电压。最后比较了常规肖特基结构,凹槽肖特基结构及混合阳极结构二极管的电学参数,证明了该混合结构的肖特基二极管在低开启电压和反向击穿上都优于其他类型器件。