在考虑T(d,n)4He反应中子发生器中子源的中子能谱、角分布、面源结构及靶系统对中子作用的基础上,利用MCNP程序模拟了中国原子能科学研究院高压倍压式中子发生器实验厅和测量厅之间屏蔽体和屏蔽墙外的泄露中子和泄露Y射线的能谱和注量。给出穿透屏蔽体和屏蔽墙的不同能量区间的中子和Y射线所占的比例。实验测量了实验测量厅中散射中子和伴生γ射线的注量,并完成了铁样品发生Fe(n, x nγ)反应条件下的飞行时间谱和γ能谱测量,观察到飞行时间谱和Y能谱测量上存在明显的γ本底峰。模拟数据和实验数据相结合,分析了造成测量厅中的本底峰偏高的主要因素。为降低测量厅本底,通过中子和光子输运的MCNP模拟并参照实验测量厅本底的实验测试数据,提出了屏蔽体和屏蔽墙的改进方案,即在原方案的基础上,屏蔽墙增加54cm厚的重混凝土和2cm厚的铅,屏蔽体增加30cm厚聚乙烯和11cm厚的铅,并将准直孔改为对称双锥型。完成了新屏蔽体及屏蔽墙的研制,实验测量了实验测量厅中散射中子和伴生γ射线的注量,结果显示,测量厅中中子和Y射线的本底注量较改进前降低约一个量级；Fe样品条件下的飞行时间谱和γ能谱测试结果与改进前的数据比较显示,γ本底峰消失。另外,通过MCNP模拟和理论计算,完成了中子捕集器的优化设计,给出中子捕集器的各项参数,为中子捕集器的进一步改造提供了可靠的理论依据。