随着集成电路关键尺寸的进一步缩小,新一代极紫外(EUV)光刻系统的研制受到了相关领域研究人员的关注。EUV光刻技术很有可能取代当前的深紫外(DUV)光刻技术,成为22nm及以下技术节点集成电路制造中的主要光刻技术。为了进一步提高光刻系统的成像性能,业界普遍采用分辨率增强技术(RET)提高光刻系统的成像分辨率和图形保真度。常用的RET包括:光学邻近效应校正(OPC)技术、离轴照明(OAI)技术、相移掩模(PSM)技术和光源-掩模优化(SMO)技术等。其中,SMO技术对光源和掩模进行联合优化,相比单独优化掩模的OPC技术,进一步提高了优化自由度,从而能够更为有效地提高光刻系统的成像质量。目前针对DUV光刻系统SMO技术的研究相对深入,然而针对EUV光刻系统SMO技术的研究尚不完善。本文针对22-16nm及以下技术节点的EUV光刻系统,在综合考虑光学邻近效应、杂散光效应、光刻胶效应和掩模阴影效应的前提下,应用课题组自主研发的EUV光刻系统空间成像模型和梯度优化算法,发展了参数化同步型SMO、参数化混合型SMO、像素化同步型SMO和像素化混合型SMO四种优化算法。本文通过22nm和16nm节点的仿真分析,验证了上述SMO算法能够有效提高EUV光刻系统的成像性能,同时还对OPC算法和上述SMO算法的性能进行了对比研究。