随着集成电路技术的进步,尤其是集成电路特征尺寸进入深亚微米阶段后,集成电路的制造成本急剧增大。为了降低原型开发时期的成本,学术界与工业界在原型开发等阶段广泛的采用多项目晶圆(Mutli-project Wafer, MPW)技术。多项目晶圆技术能够将来自不同设计单位的集成电路设计放置于同一掩模中,并同时流片,而参与多项目晶圆项目的单位按照面积等共同分担掩模制片、晶圆流片等的费用,从而降低了成本,而所获得的芯片数量足够原型设计阶段所用。针对随机缺陷降低了多项目晶圆实际产出的问题,本论文提出了考虑缺陷率模型的多项目晶圆布图规划算法,通过在布图规划阶段引入缺陷率模型的方式,增大了芯片生产的裕量,用以抵消随机缺陷造成的损失。同时,本论文提出了有约束的模拟退火算法,将多项目晶圆布图约束条件量化,使得布图规划过程能够在高温区遍历解空间,跳出局部最优解的陷阱,在低温区寻找满足约束条件的布图规划。本论文同时对多项目晶圆的切割问题进行了划分,依据切割算法运行的时间点以及目标将多项目晶圆的切割问题划分为预切割与后切割,并提出了后切割的数学模型,以及相应的算法。在本论文提出的多项目晶圆后切割算法中,引入了晶圆上无法正常工作的芯片的信息,回避了以破坏良好工作的芯片为代价获得无法正常工作的芯片的现象,同时最大化整体的收益。