电气化交通、能源互联网、新一代移动通信等产业的发展转型对电力电子设备提出了更高的要求,如更高效率、更高功率密度和更高可靠性,而现有硅基功率半导体器件的性能难以满足发展需求。碳化硅（Silicon carbide,SiC）MOSFET具有高开关速度、低导通损耗、高热导率等优异特性,将广泛应用于中大功率场合的高效、高功率密度变换器设计,具有广阔的应用前景。然而,SiC MOSFET在应用过程中面临着高速开关过程所带来的电压电流过冲和高频振荡问题以及短路耐受能力低等问题,严重威胁着SiC基变换器的安全可靠运行。为了实现SiC MOSFET的高效、低电气应力驱动和安全可靠运行,本文首先推导了SiC MOSFET在感性负载条件下的开关过程和开关轨迹,并详细分析了电压电流过冲和振荡产生的机理以及驱动参数对开关瞬态的影响;然后针对SiC MOSFET半桥模块搭建了包含详细寄生参数的LTspic仿真模型,基于仿真模型研究了驱动参数对开关特性的影响规律,为有源栅极驱动电路的设计提供有益参考。常规驱动电路和目前文献中已有的有源栅极驱动电路存在着过冲抑制效果和开关损耗难以同时优化、实现复杂等问题,本文提出了一种驱动电流分段动态调节的有源栅极驱动电路,该驱动电路根据开关阶段的状态反馈,在电压电流过冲产生的敏感阶段反向注入驱动电流以抑制开关过程中电压电流振荡,在非敏感阶段增加驱动电流的充放电路径,加速非敏感阶段以减小开关损耗。实验结果表明该驱动电路能够抑制SiC MOSFET开关过程中的电压电流过冲和振荡,同时维持较低的开关损耗,并能够降低开关过程中的高频电磁干扰发射。SiC MOSFET在应用中面临的短路失效风险更高,其短路保护需要具备有更快的响应速度和更高的可靠性,本文提出了两种SiC MOSFET模块短路故障检测方法。在分析SiC MOSFET正常开关过程和短路故障条件下的瞬时功耗差异的基础上,提出了基于器件瞬时功耗检测的短路保护策略,该策略不存在检测盲区,且短路故障越严重,保护响应速度越快;在详细分析退饱和检测法和di/dt检测的优缺点的基础上,提出了退饱和检测和di/dt检测结合的短路保护策略,能够无盲区检测硬开关短路和负载短路故障。仿真验证结果表明本文所提出复合型的短路保护方法较常规单一方法具有更高的可靠性和响应速度,可以更好的保障器件的安全运行。