纳米材料或结构一直是国内外学者研究的重点,自从多孔氧化铝模板被发现以来,由于其本身制备简单,成本低廉,尺寸可调且周期有序等优点已被广泛应用于制备纳米材料和纳米结构,在各个领域都有极大的贡献。本文基于多孔氧化铝形成机理和结构参数影响变化,研究了多孔氧化铝模板制备及基于模板的金纳米线阵列沉积工艺,讨论了微米级长度金纳米线阵列复合结构的制备方法及性能,并设计了亚微米长度金纳米柱阵列复合结构,最终分别实现红外波段超宽带吸波性能以及8μm处选择性吸收的目标。（1）根据多孔氧化铝制备相关理论,对双通多孔氧化铝模板制备工艺进行研究,使用二次阳极氧化法制备单通多孔氧化铝模板,然后去除铝阻挡层基底并溅射金基底作电极层,通过塑封工艺解决了双通多孔氧化铝模板脆性大以及后续沉积过程易碎的问题,最后控制扩孔时间制备出了孔径为40nm,长度为20μm的双通多孔氧化铝模板。这种模板可以直接用于后续电化学沉积金纳米线阵列复合结构。（2）使用自制AAO模板,根据电化学沉积原理,分别研究了电解液、沉积电压、沉积时间对电化学沉积工艺的影响,提出了适用于本论文的金纳米线阵列复合结构的制备工艺,实现了沉积金纳米线长度可控。研究了去除金电极层基底的技术,提出了一种简单高效的去除方法:使用特定浓度的金腐蚀液,通过控制腐蚀时间去除金电极基底,得到长度可调的双通长纳米线阵列复合结构。最后通过测试多孔氧化铝模板与长纳米线阵列复合结构的红外吸收特性,初步实现了在红外波段的宽带吸收效果。（3）针对长纳米线阵列复合结构8μm处吸收较弱的特点,根据四分之一波长吸收理论,仿真分析了短纳米柱阵列复合结构的影响因素,设计了短纳米柱阵列复合吸波结构,实现了在8μm处的高吸收效果。其次对短纳米柱阵列复合吸波结构进行了优化设计,结合磁谐振机理,局域表面等离子体共振理论与四分之一波长吸收理论设计了光栅型短纳米柱阵列复合吸波结构,实现了在8.4μm处的完美吸收,或者添加有损介质在8μm附近具有宽带完美吸收特性。