二维材料因其独特的结构,在光学、磁性、导电、导热等方面具有物理特性。其中,以二硫化钼、锡烯等为代表的类过渡金属硫化物目前受到广泛的关注,并在诸多光电子器件上具有较大的应用潜力。二维新型材料MoS2具有优良的半导体性质,其直接带隙约为1.74eV,在工业应用当中具有巨大的潜力。近年来,通过掺杂不同的原子对MoS2的性能进行优化调控已成为一大研究热点。然而,对于将Li掺入不同相的MoS2还没有一个系统地研究。此外,自从石墨烯打开了二维Ⅳ-族材料探究的新浪潮,随后锡烯也逐渐地引起了广泛关注。锡烯具有优良的导电、导电性,并是一种拓扑绝缘体,但也具有诸如零带隙的性能缺陷,且关于其生长的实验研究还很少。近年来关于Ⅳ-族二维材料生长在衬底上的研究频频涌现,所以关于锡烯与衬底相互结合的同时可以通过衬底来调控其性能成为本文主要研究点。本文的计算均基于密度泛函理论,采用第一性原理,主要研究内容如下:一、本文研究了吸附不同的浓度的Li原子,分别对1H-MoS2、1T-MoS2、2H-MoS2的稳定性和电子结构的影响。研究结果表明:1H相和2H相的MoS稳定性随Li原子的浓度变化不大,而1T-MoS2对于Li原子的浓度非常敏感。关于电子结构的计算结构表明:对于1H-MoS2, Li原子浓度的增加可以使得其由直接带隙半导体转变为金属性;而2H-MoS2会随着Li原子浓度的增加从直接带隙半导体,转变为具有1.62eV带隙的间接带隙n型半导体;而对于具有金属性的1T-MoS2,Li原子的吸附会导致0. 05eV的直接带隙的打开。二、我们对锡烯是否可以生长在二硫化钨衬底上,形成一个异质结构的同时对锡烯的性能进行优化调控进行了探究。本文对其性能进行了探究。我们计算了锡烯/二硫化钨异质结构的稳定性和电子结构特性。结果表明,锡烯可以与二硫化钨结合并具有3.0 A的层间距,且每个锡原子的结合能为-51. 8meV,这说明锡烯与二硫化钨可以稳定结合且层间具有弱相互作用。该结构保留了锡烯的线性能带分散特性的同时,打开了一个可观的能量带隙,这对于制造由锡烯/二硫化钨为基础的逻辑设备中的开关电流率是十分有优势的。另外,该异质结构的能量带隙、相对于费米能级的狄拉克点的位置、电子有效质量可以通过层间距、外加应力、外加电场来调节。部分结果在一定程度上表明锡烯/二硫化钨异质结构具有确定的能量带隙和高载流子迁移率,将在以锡烯为基底的场效应晶体管上具有巨大的应用潜力。