计算机已经广泛应用于社会生活的各个领域。硬盘作为计算机最重要的程序和数据的载体，不仅仅用在大型计算机和服务器中，而且已经开始进入到便携设备和消费电子产品等领域。但是，随着存储密度的不断提高，头盘间隙（飞高）越来越小，目前已经达到分子级别的高度。在这样的超低飞高条件下，与飞高5纳米以上的磁头不同，分子间作用力和静电力等表面力对磁头飞行特性的影响显著增加，磁头的飞高振幅出现增加趋势，制约了数据读写可靠性的提高。因此，进行超低飞高磁头的力学分析，研究其静态和动态特性，对于提高硬盘系统的整体性能至关重要。本文以磁头磁盘系统为研究对象，主要就分子间作用力对气膜承载性能和磁头动态飞行姿态的影响作了系统的研究。 首先，推导出头盘间分子间作用力的计算公式并用复化梯形公式进行数值计算；采用计算效率较高的、基于加法校正策略的多重网格控制体方法，求解气膜的压强分布；在此基础之上，从分子间作用力与磁头飞行姿态和尺寸因子的关系方面，分析分子间作用力对气膜承载性能的影响。模拟结果表明，分子间作用力对飞高低于5nm磁头的承载特性有重要影响，影响的大小与磁头的飞行姿态和尺寸因子有关；此外，由于分子间引力和斥力的作用范围不同，磁头有一段失去承载能力的临界飞高区间。所以，在超低飞高磁头设计中，有必要分析分子间作用力对气膜承载性能的影响。 然后，用三阶Runge-Kutta方法求解磁头的运动学方程组，将其与气膜压强方程联立求解，得到磁头飞跃盘面凸起时飞行姿态的变化情况。由模拟结果可见，磁盘表面微小的凸起会引起磁头飞行姿态的波动；磁头飞行姿态的波动幅度与气膜承载面形状设计有关；而且，磁头飞跃盘面凸起前后，其稳定飞行姿态有所变化，这会影响数据读写信号的质量。 最后，在前面静特性与动特性分析的基础之上，采用飞高为3．5nm的三自由度磁头模型，分析了分子间作用力对磁头动态飞行姿态的影响。计算结果发现，分子间作用力会引起磁头失稳；磁头尾部的凸台面积对分子间作用力的数值影响极大。通过选择合理的头盘几何参数，能够缓解分子间作用力的不利影响。