基于六西格玛的电子封装内电容桥接问题研究

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消费电子包括手机,平板电脑等移动设备在近几年得到爆发式增长,这导致消费电子产品对电子封装的需求越来越大。为了满足更多需求,需要不断开发各种高级封装产品。并且随着硅片抛光的技术更加成熟,目前已经能够封装相比过去多几倍的芯片数量。因此需要采用更多高性能的芯片并且尽可能地封装更多的芯片来满足客户的需求,这导致了电子封装成本越来越高并且对电子封装的可靠性提出更加高的挑战。在增加电子封装的芯片数量和提高性能的同时,克服任何此类电子封装内的失效问题就成为了质量管理中的首要任务。本文首要介绍了电子封装的现状和流程,包括发生问题的电容功能和电子封装组成。此失效是重复发生但是具有极低不良率,使用一般分析方法无法确认任何流程是否存在异常。为了确认问题发生的失效模式通过失效分析包括电性分析、切片分析和元素分析等手段,确认是在回流炉条件下导致电容两端焊锡桥接引起的短路不良。采用了基于六西格玛的分析方法来研究这种极低不良率问题。首先通过测量系统分析,材料分析方法来确认生产过程和封装材料参数是否存在异常。再根据鱼骨图分析法推测焊锡量为重要的影响因子,然后通过抽样对比不同批次封装内电容焊锡切片来比较焊锡尺寸确认推测:不良批次焊锡高度要比没有不良的批次要高出很多。通过有限元软件模拟焊锡应力分布发现不同焊锡形状也会促使电容发生焊锡桥接。进行全因子试验分析来比较不同焊锡条件下产生不良的数量,最终确认电容焊锡量偏大是导致这次不良产生的主要原因。改善措施和控制措施也围绕减少焊锡量和改善焊锡形成形状来进行。最后加强厂内在线质量检测条件,确认改善措施有效消除了不良并且在客户端至今再未退回电容桥接不良。
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